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      漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      300

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      360

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      11

      通道极性：

      N沟（gōu）道

      封装/温度(℃)：

      TO-263-2L/-55~125

      描述：

      650V,360mΩ,11A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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